Il y a exactement deux ans, Samsung Foundry ambitionnait d'introduire son procédé SF1.4 (1,4 nm) en 2027, sur les pas d'un SF2, qui aurait entre-temps été décliné moult fois et se devant de rattraper les errements de l'entreprise avec un 3 nm raté. Néanmoins, les plans ont (encore) changé ! Comme attendu, Samsung a bien dévoilé un nouvel emploi du temps, mais un peu différent de ce à quoi l'on aurait pu penser dans un premier temps.
Le bruit avait déjà commencé à courir que Samsung pouvait reporter son SF1.4 à 2028. Eh bien, un report a bel et bien été inscrit dans le marbre en l'occasion du Samsung SAFE Forum, mais pour 2029 ! Soit quand même deux ans plus tard qu'initialement prévu. C'est à la fois un rappel que la division fonderie de Samsung n'a toujours pas sorti la tête de l'eau, mais aussi de la complexité de la mise au point de nouveaux procédés encore plus avancés. Après tout, c'est la galère aussi chez Intel, comme on a pu le voir encore récemment.
Cette révision confirme également une nouvelle fois que Samsung cherche maintenant vraiment à faire les choses différemment. Les rêves grandioses, c'est chouette, mais à quoi bon construire et posséder de belles usines, et se dépêcher sur de nouvelles technologies onéreuses si c'est pour proposer des rendements misérables à une clientèle réticente ? Samsung lui-même a dû aller voir ailleurs pour un approvisionnement fiable et compétitif pour ses smartphones... Bref, l'entreprise veut désormais régler dans un premier temps ses soucis de productions et séduire de nouveaux clients avec des solutions plus éprouvées.
Pour ce faire, un SF2P+ a été ajouté au planning pour compenser le retard du SF1.4. Ce sera un rétrécissement optique du SF2P, sur lequel il sera donc basé. Les rendements pourraient progresser de 20 à 30 % et la mise en œuvre devrait ainsi être rapide. Le SF2P+ est vaguement prévu pour fin 2026, début 2027. Petit rappel que le SF2P est d'une certaine manière le "vrai" 2 nm de Samsung Foundry, tandis que le SF2 est un "faux" 2 nm et avant tout un SF3 rebadgé. Dans l'immédiat, la notion de "nm" du marketing des fondeurs a perdu depuis longtemps toute signification, autant chez Samsung, que chez Intel ou TSMC.
Au passage, il n'y en aura pas que pour le Gate all Around (GAA), car Samsung n'oublie pas le FinFET et va bientôt aussi proposer le SF4U, une variante "ultra" de son 4 nm. Ce niveau de technologie est encore largement suffisant pour beaucoup d'usages, Samsung espère bien pouvoir séduire une clientèle avec un procédé optimisé et "mature". Le SF4U n'est a priori pas encore en production, mais devrait l'être d'ici à la fin de 2025. (Source : Computerbase)
Samsung a fait l'erreur de passer au 3 nm en proposant le gaa ( pourquoi pas ) ET d'avoir un gain de densité
C'est ou l'un ou l'autre et une fois maîtrisé on progresse
Le 3 nm est sensé etre en production depuis mi 2022 on a eu l'an dernier un soc de montre connecté ( assez petit ) et un exynos 2500 avec les pliable de cette année
Le 3 nm n a appriorie pas encore un rendement bon qu'il veulent passer au 2 nm / 3 nm 2 eme gen renommé
Au moins le nouveau 2 nm supplémentaire basé en grande partie sur la 2 ème gen de 2 nm leurs permettra de faire une "pause" avant de passer au 1.4 nm
Je me demande comment les fondeurs s'accordent entre eux sur les "nm" ?
Comme la notion de nanomètre n'a plus aucun sens, qu'est-ce que 2nm chez l'un et chez l'autre ? Purement marketing ou y a quand même un petit lien ?
Il me semble que la mesure de "nm" originelle était la gate lenght (longueur de la grille de transistor).
Zen 3 par exemple est marketé 7nm pour une gate lenght de 22nm...
En espérant qu'il abandonne ce terme pour quelque chose de plus logique.
Si l'anglais te convient, tu peux trouver un début de réponse ici. 😊