Lors du rendez-vous annuel Samsung Foundry Forum (SFF), Samsung a fait le point sur les avancées avec ses nouveaux procédés de gravure, feuille de route l'appui. Cette dernière n'est pas toutefois nouvelle du tout, elle est même inchangée par rapport à celle de l'année dernière, ce qui est, on l'imagine, le signe que les choses avancent (enfin) comme prévu chez le fondeur coréen. Il était temps. Il faut dire qu'il n'a pas particulièrement le droit à l'erreur dans cette course aux très petits nanomètres face à TSMC et Intel.
Tout d'abord, Samsung Foundry a confirmé que son procédé SF2 (2 nm) sera disponible pour ses clients dès 2025 - soit presque simultanément au N2 (2 nm) de TSMC, mais aussi un peu plus d'un an après l'Intel 20A (le 2 nm d'Intel). Ses avancées par rapport au SF3 (la 2e génération de node 3 nm du fondeur) seront les suivantes : une efficacité énergétique améliorée de 25 % à complexité et fréquence identiques, une hausse des performances de 12 % à complexité et puissance identiques, et une réduction de la surface du die de 5 %. Samsung prévoit aussi une compatibilité d'office avec un large portfolio d'IP avancées, par exemple : LPDDR5X, HBM3P, PCIe 6.0 et SerDes 112G. Ceci naturellement dans l'idée de proposer une offre plus compétitive et une alternative crédible.
Une autre information importante, c'est que c'est aussi en 2025 que Samsung va débuter la production des premiers semiconducteurs d'alimentation en nitrure de gallium (GaN) pour divers domaines d'applications, y compris grand public. Ceux-ci présenteront plusieurs avantages notables par rapport aux solutions traditionnelles en silicium : taille réduite, efficacité en hausse, vitesse de commutation accrue et meilleure résistance aux très hautes températures.
Ensuite, plusieurs déclinaisons spécialisées existeront aussi pour le SF2. D'abord le SF2P, une variante optimisée pour le HPC, dès 2026. Puis le SF2A, cette fois-ci orienté automobile, dès 2027. Enfin, Samsung espère toujours pouvoir lancer la production en volume du SF1.4 (1,4 nm) à partir de 2027 ! TSMC devrait suivre la même année, voire la suivante, avec son N1. En revanche, Intel pourrait là encore être le premier des trois fondeurs avec son Intel 18A (1,8 nm), qui arriverait sous une forme ou une autre (sur papier, ça compterait aussi, si si) dès 2025, parait-il. (Source : Samsung, via Anandtech)
On a plus de nouvelle du 3 nm de samsung
En production depuis un an pourtant ( pas en production de masse à l'annonce de l'an dernier il me semble )
Du coup 2025 peut être mais plutôt fin d'année