Micron a annoncé cette semaine avoir commencé la fabrication de ses premières puces HBM4, en vue d'une distribution imminente des premiers échantillons pour la clientèle. NVIDIA et AMD, qui figurent déjà parmi les plus gros consommateurs de mémoire HBM, sont assurément en tête de liste. En effet, chez NVIDIA, il est prévu d'adopter la mémoire HBM4 pour les futurs accélérateurs de la génération Ruby dès la seconde moitié de 2026. Chez AMD, les plans en la matière demandent encore à être clarifiés. Mais il est plus que probable que l'adoption de la HBM4 se fera avec la série Instinct MI400. L'entreprise en dira d'ailleurs peut-être plus à ce sujet lors de son événement AMD Advancing AI 2025, qui se tiendra demain.
En tout cas, Micron entend sans aucun doute faire en sorte que sa mémoire soit la première à être sélectionnée par les plus gros clients. On a vu avec Samsung ce que ça coute de rater le coche, le coréen ayant totalement manqué le virage de la HBM3(E), au profit de son compatriote SK hynix. Mais avec la HBM4, les jeux ne sont pas encore faits !
La première HBM4 de Micron est constitué de 12 piles de DRAM (12-high), une configuration inférieure à la meilleure des HBM3E du marché, à savoir celle de SK hynix avec 16 stacks. En revanche, la HBM4 devrait un beau jour monter jusqu'à 32 étages ! Dans la même veine, la HBM4 de Micron démarre avec une capacité de 36 Go, ce qui est inférieur encore une fois au 48 Go déjà atteint avec la HBM3E. Mais le moment venu, la HBM4 pourra atteindre au moins 64 Go par stack. La nouvelle génération dispose aussi d'une interface 2048 bits, le double de la précédente. Quant à l'efficacité, une caractéristique toujours plus cruciale pour des systèmes toujours plus énergivores, elle est améliorée de 20 % par rapport à la HBM3E.
Pour son premier cru, Micron utilise son procédé 1ß (1-beta), un process de classe 10 nm spécifique à la production de DRAM. Il n'est pas nouveau, car en usage depuis 2022, et n'utilise aucune couche EUV. Micron a probablement préféré jouer la prudence pour commencer en optant pour un procédé plus qu'éprouvé. Annoncé très récemment, le procédé 1y (1-gamma) introduira l'exposition par EUV pour la 1ère progressivement dans la fabrication de DRAM chez Micron. Il n'est donc pas à écarter que la HBM4 finira par y passer, dès lors que la technologie aura été affinée avec des produits moins "à risque" (et moins critiques pour le chiffre d'affaires), comme la DDR5 et la NAND.
Que ce soit chez Micron, Samsung ou SK hynix, l'aventure HBM4 devrait débuter en 2026. En 2023, Samsung avait laissé entendre vouloir la lancer dès 2025, mais, compte tenu des difficultés de l'entreprise, il est permis d'en douter. Certes, il serait dans l'intérêt de Samsung de se dépêcher avec la HBM4, suivant les ratés avec sa HBM3E. Micron prévoit de commencer la production en volume l'année prochaine. Attention, SK hynix aussi est bel et bien dans la course et ne manque pas de le faire savoir !
