Alors que les trois fabricants en liste pour la HBM4 étaient déjà présents à la GDC pour montrer leurs avancées, cela n’a, semble-t-il, pas suffi à SK hynix, qui s’est pointé au Technology Symposium de TSMC sauce 2025 avec sa mémoire stackée sous la poche. Pour rappel, la HBM est une technologie de mémoire haut débit massivement parallèle qui, contrairement à la GDDR, a l’avantage d’être empilée en couche et de s’intégrer directement dans le package du CPU via un lien ultrarapide : un die supplémentaire situé en dessous, nommé interposer. Bien qu’utilisée dans les produits à destination des professionnels (la firme était d’ailleurs très heureuse de montrer un module Blackwell B100 de NVIDIA et ses 24 Gio de HBM3E de la maison), la technologie n’a jamais percé pour le grand public — en dépit des quelques essais d’AMD —, la GDDR suffisant visiblement pour notre utilisation et notre porte-monnaie.
Mais revenons à notre salon : SK hynix y montrait les premiers exemplaires de sa HBM4 à 12 couches, de quoi offrir la bagatelle de 2 Tio par seconde au total : la vache ! La HBM3E était aussi présente, avec un empilement de 16 couches affichant 48 Gio par stack, contre 24 sur les modules actuellement à l’usage sur les cartes Blackwell pour superordinateurs. La firme a ainsi bien laissé entendre que la production se déroulait comme prévu, une bonne nouvelle étant données les difficultés de mise au point des autres gravures haute performance.
Quant au reste de la gamme, SK hynix avait également de la RDIMM (maximum 96 Gio à 8 Gbps) et de la MRDIMM (maximum 256 Gio à 12,8 Gbps) pour serveur sauce DDR5, le tout propulsé par le node 1 c de la firme (comprenez la 6e génération de procédé de gravure « classe 10 nm » de la maison). Reste à voir à quel prix et pour quel partenaire ! (Source : TechPowerUp)
Par ici pour la communication officielle de la firme — encore faut-il y comprendre quelque chose !
