Samsung présente sa V-NAND de 10e génération et ses spécifications record !

Comme convenu, après une V-NAND V9 assez peu ambitieuse, Samsung revient à la charge avec une V-NAND de 10ᵉ génération très agressive sur le papier ! En décembre dernier, l'emploi du temps du salon de l'ISSCC 2025 en avait déjà révélé quelques détails. Maintenant que le salon a eu lieu, tout ça est désormais confirmé et officiel !

Cette V10 signe simultanément un record de nombre de couches actives et de vitesse d'interface, aucune autre ne lui arrive à la cheville, pour l'instant. Elle réalise également un record de densité pour une NAND de type TLC, mais s'est arrêté à un cheveu d'égaler celui signé par la version QLC de la V-NAND V9. Grâce à sa nouvelle architecture et son interface, et selon la configuration du SSD, Samsung a une NAND prête pour le PCIe 6.0 x4 et sa bande passante d'environ 32 Go/s. Avec le standard JESD230G, l'interface NAND compatible avec un débit de 4800 MT/s pourra déjà grimper approximativement à 24 Go/s. À raison de 5600 MT/s, la V10 devrait logiquement pouvoir aller encore au-delà. Rappelons que le premier prototype de SSD PCIe 6.0 présenté par Micron en 2024 peut a priori déjà atteindre 26 Go/s en séquentiel. 

Enfin, la V10 est particulière aussi par son architecture. En effet, c'est la première fois que Samsung utilise une architecture "cell-on-peripheral" (CoP) avec un collage hybride. Ainsi, tous les circuits périphériques (décodeurs de rangées, amplificateurs de détection, tampons, générateurs de tension, E/S, etc.) sont au préalable fabriqués sur un wafer individuel, plutôt que sur le wafer de la mémoire NAND 3D. Par la suite, ces deux wafers sont ensuite collés ensemble. C'est principalement cette nouvelle architecture qui a permis d'augmenter de manière notable la quantité de couches et le débit de l'interface. D'autres constructeurs, notamment Kioxia et YMTC, ont déjà adopté cette technique depuis quelque temps. D'ailleurs, la V10 serait apparemment basée sur le brevet de "hybrid bonding" de YMTC et serait donc le fruit d'une collaboration stratégique assez inédite entre ces deux acteurs. 

Bref, sur le papier, cette V-NAND V10 a tout d'un excellent cru. Elle prépare le terrain pour les futurs SSD PCIe 6.0 et place la barre assez haut pour la concurrence. Il va de soi que celle-ci aussi est sans aucun doute déjà en train de préparer cet avenir et ne manquera pas de réagir. Dans l'immédiat, SK hynix est probablement le concurrent le mieux placé pour coller aux ambitions de son compatriote. En effet, en aout dernier, SK hynix avait fait part de son ambition de lancer une NAND de 400 couches en 2025 et d'en commencer la production en volume durant la seconde moitié de l'année. De son côté, Samsung cible un démarrage de la production également durant la seconde moitié de 2025. À ce moment-là, la quantité de couches définitive de la V10 serait aux alentours des 420-430. Le géant coréen n'a pas donné d'emploi du temps pour la commercialisation des premiers produits avec la nouvelle NAND, mais ça se fera donc certainement durant la première moitié de 2026.

Pour l'anecdote, Samsung a confirmé lors de l'ISSCC 2025 son objectif d'obtenir une NAND de 1000 couches à l'aube de 2030. Pour y arriver, d'autres nouveautés seront introduites en chemin et sur les bases de cette V10, notamment une technologie de gravure cryogénique au molybdène, une nouvelle structure NAND "multi-BV" basée sur 4 wafers empilés, et de nouvelles technologies avancées pour la fabrication des circuits périphériques et de mémoire sur des wafers séparés. Samsung n'est toutefois pas le seul à cibler les 1000 couches. Le japonais Kioxia entend même y arriver dès 2027 ! (Source : ISSCC, Tom's)

À défaut d'une meilleure image pour la V10, voici la V9.