Samsung V Nand Ssd Generique

La suite d'une V-NAND V9 pas très ambitieuse, ce sera la V10, qui promet cette fois-ci un bon en avant bien plus conséquent !

Cette année, Samsung a officialisé la V-NAND V9, la 9ᵉ génération de sa mémoire flash maison. Sa production en volume ayant démarré au printemps, les premiers exemplaires ne devraient pas tarder à intégrer les SSD du commerce du coréen. Néanmoins, le dernier modèle grand public à avoir été lancé, à savoir le 990 EVO PLUS, ne s’en sert pas et utilise de la V-NAND V8. Même le PM9E1, le nouveau SSD PCIe 5.0 de Samsung n’utiliserait pas encore la V9. De toute façon, cette dernière ne représente pas une très grande évolution par rapport à la génération précédente. La 10ᵉ génération, en revanche, s’annonce, elle, d’ores et déjà beaucoup plus ambitieuse !

Nous en avions déjà un peu parlé. Mais certains détails ont désormais été confirmé par l’emploi du temps de l’ISSCC 2025 (page 65), durant lequel la présentation d’une NAND 3D TLC de 4xx couches a été programmée le 19 février prochain par Samsung ! Il ne fait aucun doute qu’il y sera bien question de la V-NAND V10. Selon le programme, la nouvelle NAND aura plus de 400 couches et surtout une densité de stockage de 28 Gb/mm2, soit à peine moins que la mémoire flash la plus dense dans le monde à ce jour, à savoir la NAND 3D QLC 1 Tb de 280 couches et sa densité de 28,5 Gb/mm2. Il est également question de WF-Bonding/Wafer Bonding, une technique consistant à "coller" ensemble deux wafers sur lesquels auront au préalable été gravés séparément les cellules et les circuits périphériques. La V10 sera la première NAND de Samsung à utiliser celle-ci. Mais le plus important, c’est bien la vitesse de l’interface annoncée pour 5,6 GT/s !

Samsung V-NAND TLC V10 V9 V8
Couches 4xx

290

(2 x 145)

236

(2 x 118)

Capacité du die 1 Tb 1 Tb 1 Tb
Taille du die ? ? ?
Densité de stockage 28 Gb/mm2 ~17 Gb/mm2 ~11,5 Gb/mm2
Vitesse de l’interface 5,6 GT/s

3,2 GT/s

(Toggle 5.1)

2,4 GT/s

(Toggle 5.0)

Ceci dépasse allègrement les 4800 MT/s récemment standardisés par le JEDEC avec le standard JESD230G pour l’interface NAND. De toute évidence, Samsung destine sa V-NAND V10 pour les SSD très rapides de demain et tout particulièrement ceux en PCIe 6.0, que l’industrie semble bien impatiente à amener sur le marché. Avec une première présentation technique au salon ISSCC en 2025, il n’est pas à écarter qu’une annonce plus officielle suivra plus tard encore dans l’année pour la V10 de Samsung. On peut supposer que la production en volume démarrera également l’année prochaine. Ce qui veut dire que les premiers SSD avec cette NAND arriveront probablement sur le marché courant 2026, ce qui coïnciderait justement assez bien avec l’emploi du temps prévu jusqu’à présent pour le PCIe 6.0. (Source : Tom's, ISSCC)

Samsung V Nand Ssd Generique

Matt


  • On attend encore le SSD grand public PCI-E 5, ça rapporte probablement moins que la version pour centre de données, mais quand même. Samsung ne sait pas quoi faire de ses usines, il a qu'à nous faire faire du SSD PCI-E 5.

  • Moi perso, s'il était possible d'avoir des SSD > 4To qui ne coutent pas un bras, ce serait déjà super même en PCI-E 4. et même les 4 d'ailleurs vu ce qu'ils se sont pris plein les roustons.

  • il serait bon de faire enfin des puces de plus 1 to pour avoir des ssd de plus de 8 to

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