Alors que le constructeur coréen n'a même pas encore commercialisé sa NAND 4D (appellation marketing de SK hynix) 321 couches, le fabricant aurait déjà avancé dans la conception de la première NAND de 400 couches et en planifierait la production dès fin 2025. C'est au conditionnel, car l'information n'est pas officielle, mais rapportée par un journal coréen et ses sources dans l'industrie concernée.
Cette nouvelle évolution présenterait son nouveau lot de défis et demanderait plusieurs avancées. Ce n'est pas (plus) aussi simple que de simplement continuer à empiler les couches. En l'occurrence, le fondeur se préparerait à laisser de côté la méthode actuelle dite PUC ou Peripheral Under Cell pour passer à une liaison hybride avec une structure W2W ou Wafer-to-Wafer. Avec celle-ci, les cellules seront gravées sur un wafer distinct, puis posées et connectées à un autre wafer comportant les circuits périphériques. En principe, cette méthode devrait aider à limiter les éventuels dégâts liés à la chaleur et la pression lors du processus de stacking traditionnel sur un seul wafer. Ce procédé a déjà fait ses preuves avec la production d'autres types de puces. Bien entendu, SK hynix va devoir s'équiper de nouveaux outils et s'entourer de nouveaux fournisseurs pour mettre en place les technologies et infrastructures requises, un travail qui devrait être achevé d'ici la fin 2025.
On pourrait donc s'attendre à en voir les premiers échantillons fin 2025, début 2026. La véritable production en volume commencera certainement bien plus tard en 2026 et les premiers produits pourraient arriver fin 2026, début 2027. Un tel emploi du temps paraît relativement réaliste. Quoique, les premiers échantillons de NAND 3D 321 couches avaient été montrés en août 2023, mais les SSD qui s'en servent seraient encore loin. Même le premier SSD PCIe 5.0 de SK hynix se servirait de NAND 238 couches, qui ne s'est par ailleurs également toujours pas montrée sur le marché non plus.
Bref, on a le sentiment que ça va vite si l'on s'en tient aux annonces et autres rumeurs. En pratique, la cadence est tout de même moins folle. Sans oublier que les conditions du marché jouent un rôle aussi. Mais ce besoin de communiquer beaucoup en avance via les canaux officiels et officieux est probablement également lié au fait que le match est bien serré entre les différents concurrents, alors que les avancées deviennent toujours plus complexes et coûteuses. Aux dernières nouvelles, Samsung a lancé récemment la production de sa V-NAND 290 couches et a vaguement annoncé vouloir cibler les 1000 couches pour 2030, avec d'abord une V-NAND V10 de 430L en 2025. 1000, chez Kioxia également, mais ce dernier a plutôt suggéré 2027. En attendant, le japonais sert une mémoire flash de 218 couches, qui doit lutter, entre autres, avec la NAND 3D 276 couches de Micron. (Source : etnews, via TPU)
