En attendant la HBM4, le trio toujours sur le coup de ce type de mémoire, à savoir SK Hynix, Samsung et Micron, va pouvoir repousser encore les limites avec la HBM3E ! En l'espace d'un seul jour, nous avons eu droit à deux annonces à ce sujet tour à tour chez Micron et Samsung.
Micron le premier, pour annoncer le démarrage de la production en volume de sa HBM3E et sa disponibilité pour le second trimestre. D'une hauteur de 8 étages, la dernière HBM de Micron propose un débit de 9,2 Gb/s par pin pour une capacité d'environ 1,2 To/s pour son module de 24 Go, avec une consommation inférieure de 30 % à l'offre concurrente (mais laquelle ?). Elle a été conçue à partir du node 1-beta (10 nm). Fièrement, Micron nous fait aussi savoir que cette HBM3E sera utilisée très prochainement par NVIDIA pour les accélérateurs H200 et GH200, qui en posséderont 141 Go. Enfin, l'américain explique avoir planifié l'échantillonnage de sa HBM3E 36 Go composée de 12 étages pour mars 2024.
De son côté, Samsung affirme avoir conçu la première HBM3E 12H (12 étages) de 36 Go de l'industrie... Visiblement, le coréen est passé à côté de l'annonce de Micron, ou alors, Samsung estime simplement que la sienne est à un stade plus avancé. Peu importe. Samsung nous explique grosso modo que beaucoup de magie technologique très avancée du semiconducteur a dû être exploitée pour la réalisation de cette prouesse. Résultat des courses, sa HBM3E devrait fournir une bande passante de 1,28 To/s ! Si elle est donc supérieure à celle de Micron sur le papier, il y a fort à parier que cela ne produira aucune différence notable en pratique. En tout cas, chez le coréen, l'échantillonnage a déjà commencé et la production en volume doit démarrer dans les 4 prochains mois. Aucun client ni produit spécifique n'est mentionné dans l'annonce. Certains spéculent que NVIDIA pourrait s'en servir pour les accélérateurs Blackwell B100 et GB200. Mais n'oublions pas qu'AMD aussi pourrait mettre à jour ses MI300 avec de la HBM3E.
Pas de nouvelle annonce chez SK Hynix pour l'instant, mais l'autre coréen n'est évidemment pas en reste. Lui aussi prépare sa HBM3E, dont la bande passante devrait presque égaler celle de Samsung. En revanche, SK Hynix ambitionne de proposer une capacité de 48 Go. (Source : Hardwareluxx)
Ça commence à faire beaucoup de capacité et de vitesse sur une seul pile
Il y a actuellement un problème de capacités des usines d'emballage c'est dommage
Mais s'il n y avait pas se problème je me demande de l'intérêt de continuer à utiliser de la gddr sur le haut/moyen gamme
On est supérieur à un bus 384 bits gddr6 même 6x en capacité et en vitesse
La gddr 7 arrive mais la hbm 4 aussi
Nvidia c'est plus compliqué
Amd a lui déjà un interposé il suffit de l'agrandir un peu et on a la place de mettre la ram donc c'est en théorie pas si cher que ça
Dommage ce problème de capacité d emballage