Lors de la conférence GMIF 2025 (Global Memory Innovation Forum), Samsung a présenté le PM1763, son premier SSD PCIe 6.0 ! À l'image de celui du Micron 9650 de Micron, il va de soi qu'il ne s'adressera pas à nous, mais aux opérateurs de (gros) serveurs et autres superordinateurs. A priori, le SSD PCIe 6.0 ne devrait pas nous concerner de sitôt.
Hélas, Samsung n'a pas encore beaucoup abordé les détails techniques de son futur SSD, si ce n'est qu'il sera au format E1.S, que son contrôleur possédera au moins 16 canaux NAND et que les performances seront doublées par rapport à la génération actuelle, représentée par le PM1753. Ce dernier grimpe à 14 800 Mo/s et 11 000 Mo/s en lecture et en écriture séquentielles, respectivement. En aléatoire, le SSD propose 3 400 IOPS en lecture et 600K IOPS en écriture. Sur le papier, il est parmi les modèles les plus rapides du marché. Le PM1763 pourrait donc facilement jouer avec les limites de l'interface PCIe 6.0 x4, qui est de 30 Go/s. De son côté, Micron a déjà démontré du hardware capable d'atteindre les 28 Go/s et Silicon Motion a dévoilé un MonTitan SM8466 qui en est capable aussi. Samsung a précisé que l'efficacité énergétique augmentera de 60 % et ceci se traduirait par une consommation de 25 watts. En moyenne ? En pointe ? Ce n'est pas mentionné, pas plus que le modèle utilisé comme point de référence. Cependant, sachez que la génération actuelle de SSD PCIe 5.0 pour serveur atteint déjà souvent les 25 W en pointe. À ce jour, le lancement du PM1763 est au programme pour début 2026.
Samsung a aussi discuté d'autres ambitions, notamment en matière de capacité et de NAND. Comme tous les autres acteurs, le coréen aussi veut faire grimper la capacité de stockage de ses modèles professionnels au fil des deux prochaines années. Dans un premier temps, Samsung envisage d'atteindre les 256 To avec un SSD PCIe 5.0, puis les 512 To en PCIe 6.0. À cet égard, le futur SSD PCIe 6.0 sera décliné en 256 et 512 To. Il est fort probable que ces exemplaires feront usage de NAND QLC, et plus spécifiquement, la V-NAND V9 (sujet à problèmes, qui devraient néanmoins être résolus l'année prochaine)
À propos de NAND, Samsung prévoit également de ramener sa Z-NAND sur le devant de la scène, une forme de NAND spéciale, optimisée pour des latences d'accès ultra-faibles. À l'origine, elle avait été imaginée pour combler l'écart entre SSD traditionnel et les supports à base de mémoires persistantes rapides (comme la 3D XPoint des Optane, RIP). Proposé initialement chez Samsung via les Z-SSD, ce type de mémoire s'est fait très discret ces dernières années, mais le géant coréen a maintenant confirmé que sa Z-NAND en est à la 7ᵉ génération et qu'elle arrive. Compte tenu des exigences croissantes dans les centres de données et pour l'IA, cette catégorie de mémoire flash pourrait cette fois-ci enfin connaitre le succès. Chez Kioxia, on l'appelle la XL-Flash. Puisque nous en sommes à parler de NAND très rapide, rappelons que Sandisk et SK hynix travaillent à faire standardiser la High Bandwidth Flash (HBF). Une architecture basée sur la NAND, qui exploite un parallélisme massif et une interface très large pour offrir une bande passante comparable à celle de la HBM, avec une capacité bien supérieure et un coût plus faible, mais une latence de type NAND. Il n'est pas clair si Samsung est impliqué de près ou de loin dans ce développement. (Source : Computerbase)
Promotion du Z-SSD, il y a 7 ans !

Grâce (ou à cause de l'IA) qui demande de lire/écrire des quantités colossales de données pendant l'entraînement, on va peut-être revoir des techno de nand plus endurantes que la QLC.
Je me demande combien ça va coûter ce genre de modèle, j'avoue que dans un contexte pro, 10Po avec une trentaine (selon la conf raid) de SSD, peut être même faisable sur une seule machine, c'est tentant ! 😍