Les rendements du 3 nm de Samsung sont désormais bons ! Qui n'en veut ?

La lutte technologique est désormais très rude dans le domaine de la fonderie de semiconducteur. Coûteuse et complexe, il n’y a plus que TSMC, Samsung et Intel dans la course. Mais les regards sont tout particulièrement tournés vers Samsung et TSMC, étant donné que le coréen semble pour la première fois depuis longtemps détenir une assez bonne carte à jouer. En effet, Samsung est le premier sur le coup de la technologie gate-all-around (GAAFET) et elle va être introduite avec le premier procédé 3 nm baptisé « SF3 » ou encore « 3GAP ». Néanmoins, cette génération n’a pas vécu un commencement très facile chez le géant coréen, jusqu’à présent marqué par de mauvais rendements et une crise au sommet du groupe, notamment à cause des chiffres des rendements faussés pour attirer du client. Bref, jusqu’à présent, il n’y a pas vraiment eu de quoi inspirer confiance et séduire la grosse clientèle, et celle que Samsung avait à son actif (en l’occurrence NVIDIA et Qualcomm) est déjà retournée chez TSMC en attendant.

Tandis que TSMC — dont voici la dernière feuille de route — est sur le coup avec un N3B dont la production en volume a déjà commencé fin 2022 (avec de bons rendements) et un N3E prévu pour 2024 et qui représentera l’offre 3 nm (toujours avec FinFET, rappelons-le) la plus attractive du fondeur taïwanais, Samsung va commencer avec un SF3, qui sera suivi d’une version améliorée SF3P/3GAP+ un peu plus tard. Voici un petit rappel de sa roadmap maison. Selon le fondeur coréen, ces deux procédés domineront son activité de 2023-2024. Samsung avait déjà affirmé avoir commencé la production avec son 3 nm mi-2022, mais sans rentrer sérieusement dans les détails. En fait, il se trouve qu’il s’agissait du démarrage de la production en volume « initiale » d’une puce basse consommation et haute performance.

L’information du jour, c’est que les rendements des wafers SF3 ce sont à jour stabilisés aux alentours de 60 à 70 % ! De tels chiffres sont plutôt bons, sans être exceptionnels. Le problème, c'est que l'on ne sait pas s’il s’agit du rendement obtenu avec une petite ou une grosse puce, un détail qui a son importance. À titre indicatif, chez TSMC, le rendement pour les wafers 3 nm aurait été de 60 à 80 % fin décembre. En tout cas, les fondeurs aiment à mettre ces chiffres en avant, puisqu’il s’agit d’un critère crucial pour le client, dont les commandes sont généralement d’abord basées sur les rendements, puis le coût par wafer. L’avenir nous dira si cette communication de Samsung aura eu l’effet escompté auprès du public ciblé. En attendant, son 3 nm aurait pour l’instant pour clients (sans compter Samsung lui-même, mais pas pour l’hypothétique Exynos 2400) au moins un concepteur de processeurs HPC et un concepteur de processeurs mobiles. (Source : TPU)