Petit teasing chez Samsung, qui a partagé cette semaine un peu plus d’informations à propos de sa prochaine génération de V-NAND (le nom donné par Samsung à la NAND 3D), la V9 avec plus de 300 couches. Elle avait dans un premier temps été annoncée cet été.
Premièrement, le géant coréen a reconfirmé que la production en volume pourra toujours démarrer "tôt l’année prochaine" soit potentiellement un an plus tôt par rapport à son rival et compatriote SK Hynix. À titre indicatif, nous ne savons pas encore quels sont les calendriers chez les autres, Micron, WD et Kioxia, mais il va de soi que tous œuvrent aussi sur leur propre version d’une NAND dépassant les 300 couches. Avec les dernières générations de mémoire flash, Micron et SK Hynix furent tour à tour les premiers, le coréen avec la NAND 121 couches et l’américain avec la NAND 232 couches. Il semblerait donc que Samsung veuille s’assurer le titre pour la prochaine étape ! Néanmoins, commencer la production en volume est une chose, commercialiser des produits en est une autre. En supposant que la production débute comme annoncé pendant les premiers mois de 2024, il n’est pas à écarter que Samsung puisse annoncer des SSD exploitant la nouvelle NAND durant la seconde moitié de l’année.
Et pourquoi pas un successeur SSD du 990 Pro à base de V-NAND V9 en 2024 ?
Deuxièmement, Samsung a également affirmé que sa V-NAND V9 sera celle avec le plus de couches actives sur le marché ! Il faut en déduire que le constructeur sait plus ou moins ce qu’ont planifié ses concurrents ou est très confiant que personne d’autres n’arrivera à faire mieux. Micron et WD/Kioxia n’ont aux dernières nouvelles pas encore confirmé de chiffres. En revanche, ce n’est plus un secret chez SK Hynix, qui avait montré une NAND 4D avec 321 couches cet été. Samsung aurait donc mieux en gestation dans ses labos...
Attention, le nombre de couches n’est pas directement indicatif du niveau de performance. À ce propos, Samsung est resté très vague et n’a pas encore dit ce qu’il faut attendre de la 9e génération de V-NAND. Celle-ci conservera une architecture basée sur la technologie double-stacking introduite en 2020. Dans l’objectif général de proposer la puce la plus dense, plus rapide, mais aussi la plus petite possible, le gros du travail portera en principe sur la minimisation des interférences cellulaires et des fuites d’électrons (chose qui devient d’autant plus complexe avec l’augmentation des couches), la réduction de la hauteur, la maximisation du nombre de couches verticales et de la vitesse des I/O. Un bon nombre de défis auront/ont sans doute été relevés en chemin, avec des innovations qui seront certainement utiles pour la suite, notamment sur le chemin vers une NAND de 1000 couches et plus. (Source : Samsung, via Tom’s)
New structural and material innovations will be critical in the upcoming era of sub-10-nanometer (nm) DRAM and 1,000-layer vertical V-NAND. As such, we are developing 3D stacked structures and new materials for DRAM, while increasing layercount, decreasing height, and minimizing cell interference for V-NAND. We will continue to build on these strengths, which have enabled us to achieve the smallest cell size in the industry. Samsung is also working on the next generation of value-creating technologies, including a new structure that maximizes V-NAND’s input/output (I/O) speed.
Our 11nm-class DRAM is currently under development and on course to achieve the industry's highest density. The ninth-generation V-NAND is well under way for mass production early next year with the industry’s highest layer count based on a double-stack structure.
Citation de Jung-bae Lee, Président et chef de l'activité mémoire de Samsung Eletronics.
