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La guerre à kiki a le plus fin fait aussi rage sur la DRAM. À ce petit jeu, que vaut celle de Samsung ?

Si la course à la gravure est bien connue sur les procédés de gravure haute performances chez Intel et TSMC notamment, la mémoire est moins souvent mise en lumière sur cet aspect-là. Pourtant, pour réussir à caser 2 Gio par puce (comme vous le voyez par ici sur notre test des G.Skill Ripjaws S5 DDR5-6800) sans exploser la consommation, il faut des puces manufacturées sacrément finement ; et, pour ça, Samsung a du savoir-faire. 

Actuellement, la dernière génération de DRAM du coréen est la D1b, ce qui signifie « 5e itération du procédé de classe 10 nm », après le 1x, 1 y, 1z et 1 a (une manière plus ou moins élégante et compréhensible [sic]) de montrer les progrès en la matière, sans pour autant donner de chiffre exact. Notez toutefois que la génération 1 a a également introduit l’arrivée des EUV chez Samsung : comme quoi, la nomenclature n’est pas si absurde que ça !

Cependant, dans le monde, il y a deux catégories de personnes : les curieux et les autres. Et les collègues de TechInsight font bien partie des premiers, alors ils creusent démontent et analysent. En désossant un smartphone Vivo X200 Pro Satellite qui n’avait pourtant rien fait de mal, les gus sont remontés sur la piste des D1b, et ont pu comparer la taille des cellules de DRAM par rapport aux concurrents, le tout dans un joli graphique retraçant cette évolution sur 9 générations.

Fin 2024, Samsung est dominant avec une feature size (la taille du plus petit motif gravable, pour causer en bon françois à nous autres non-initiés !) de 12,54 nm très exactement, devant les 12,65 nm, du D1b de SK hynix, et 13,04 nm du D1β du concurrent Micron. Pour mesurer cela, il a fallu avoir recourt à un microscope électronique en transmission, un équipement qui ne court pas les rues ! Dans la pratique, une telle finesse se traduit par une densité impressionnante de 0,436 Gb/mm2 peuplant un die mesurant au total 36,68 mm2 une fois toutes les unités de commandes et de contrôle rajoutées. De quoi laisser présager des cellules s’approchant des 10 ou 11 nm pour 2025 et, ainsi, des kits de RAM toujours plus denses et moins gourmands en watts — pourquoi pas offrant 64 Gio sur deux barrettes ? (Source : TechInsight)

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