Le scanner lithographique EUV High-NA est la prochaine grande évolution dans le domaine de la production de semiconducteur. Officiellement, l'expédition du premier système avait commencé fin 2023, direction les USA, chez Intel Oregon, qui put ensuite célébrer la réception des premiers composants début 2024. Rappelons que le transport de ce type de système représente une opération logistique massive, un TWINSCAN EXE:5000 faisant approximativement la taille d'un bus à deux étages et plus de 150 tonnes. La facture aussi est conséquente, le prix du matos est d'environ 380 millions de dollars.
Intel avait complété l'assemblage du premier système en avril 2024 et l'installation du second scanner avait ensuite été confirmée par ASML en octobre dernier. À savoir que l'EXE:5000 est avant tout conçu pour tester la production en EUV High-NA et permettre le travail de R&D. En somme, il sert à préparer la technologie pour la production en volume.
Lors de l'annonce de ses résultats trimestriels, ASML a confirmé que le premier EXE:5200B a maintenant aussi été expédié ! L'EXE:5200B est l'évolution du EXE:5000, un système EUV High-NA de nouvelle génération prévu cette fois-ci à être fabriqué en série et conçu pour produire du wafer en volume. Ainsi, le nouveau modèle devrait augmenter la productivité de 60 % par rapport au précédent, à raison de 175 wafers par heures, un débit jugé suffisant par ASML pour une production en volume. À titre de comparaison, le NXE:3800 EUV Low-NA d'ASML sait à ce jour - après upgrade - traiter 220 wafers par heure, 37 % de plus qu'un NXE:3600.
ASML n'a pas dit qui est le destinataire du premier EXE:5200B, mais tout indique qu'il s'agit toujours d'Intel. Il y a fort à parier que le fondeur américain ne manquera d'ailleurs pas d'en parler prochainement. Peut-être en touchera-t-il un mot lors de l'annonce de ses résultats, le 24 juillet ?
High NA, nous continuons à faire mûrir la plateforme avec notre système EXE:5000, qui est chez plusieurs clients. Il s’agit essentiellement du travail que nous réalisons avec nos clients R&D pour préparer la technologie à la production de masse. Et pour cela, nous avons expédié notre premier EXE:5200, qui est l'outil destiné à être utilisé en production à haut volume. L’outil est en cours d’installation. Pour rappel, celui-ci offrira à nos clients une amélioration de productivité de 60 % par rapport à l’EXE:5000. On parle ici de 175 wafers par heure. Nous commençons donc également à préparer son insertion en production de masse.
Après tout, des trois fondeurs encore impliqués dans la course, s'il n'est évidemment plus le seul à avoir réceptionné de l'EXE:5000, Intel est le seul à avoir pris les devants et à miser fortement sur l'EUV High-NA. En effet, l'américain à un emploi du temps plus ou moins clair pour cette technologie, avec son procédé 14A, dont la production "à risque" est planifiée pour 2027 et celle en volume l'année suivante. En avril dernier, Intel avait offert un tour d'horizon de ses technologies lors de l'Intel Foundry Direct Connect.
Chez TSMC, les intentions pour l'adoption de l'EUV High-NA sont moins claires. Il se pourrait même que le fondeur taïwanais retarde celle-ci et poursuivre l'exploitation de l'EUV "classique" pour son futur procédé A14, dont la production en volume est prévue pour 2028. Chez Samsung Foundry non plus aucun emploi du temps n'a été communiqué pour l'EUV High-NA. Officieusement, le fondeur coréen considérerait la transition pour les générations de procédés post-2 nm.
En attendant, l'EUV est une affaire qui marche assez fort pour ASML. Malgré quelques risques géopolitiques pouvant freiner la croissance de son activité en 2026, le néerlandais anticipe toujours une forte demande pour ses outils EUV, mais aussi DUV. L'EUV en particulier, pourrait croitre de 30 % en 2025 et pourrait se traduire par une hausse de 15 % des ventes d'ASML d'une année sur l'autre. Ceci s'expliquerait notamment par l'usage plus large des ultraviolets extrêmes par les fabricants de DRAM. (Source : ASML, TrendForce)
