Samsung avait dégainé le premier, mais Micron est sur ses pas ! Quand il ne s’agit pas de SSD, c’est sur la DRAM, notre bonne récente DDR5, que se battent les deux concurrents du jour, avec la production de puces embarquant 32 Gib par die en lieu et place des 16 Gib précédents. Matt vous causait de cela début septembre pour ce qui est de l’entreprise coréenne ; c’est désormais à Micron de sortir sa cam.
Gravés au moyen du procédé 1β (prononcez « 1-bêta », afin pour éviter de causer en nanomètres), les modules de chez Micron se passent également de trous dans le silicium pour apporter l’alimentation (les fameux TSV, ou through-sillicon-via), ce qui permet d’augmenter la densité des bits de 45 %, l’efficacité énergétique de 24 % et diminuer la latence de 16 % selon le constructeur. Au niveau des performances dans la vie réelle, il est toujours difficile de projeter, mais Micron annonce 28 % de gains en performances lors d’entraînement de réseaux de neurones : on sent bien que la firme cible directement les datacentres, d’autant plus qu’AMD lui-même vante les bienfaits du produit pour les applications à fort besoin de mémoire pour sa gamme EPYC !
Pour ce qui est du produit fini, ces puces se retrouveront dans des kits à 128 Gio par barrette, moulinant de 4800 MT/s à 6400 MT/s dans un premier temps (comprendre, 2024), pour grimper jusque 8000 MT/s à terme. Au passage, Micron vante son procédé 1β, arrivé désormais à maturité « le plus rapidement dans l’histoire de la firme » grâce notamment à l’intelligence artificielle. À voir ce qu’il en sera une fois les produits disponibles ! (Source : DigiTimes)
