Nouvelle prouesse du géant coréen de la mémoire vive et flash, Samsung est le premier des fabricants de DRAM à annoncer avoir complété la conception d’une DDR5 avec une DRAM de capacité de 32 Gb par die ! C’est ni plus ni moins le double de la capacité habituelle qui est de 16 Gb par couche, soit 2 Go. Ainsi, le calcul est vite fait (parce qu’on est trop fort en math, bien entendu), cette nouvelle puce stockera 4 Go par die ! Certes, une capacité de 24 Gb existe déjà, mais celle-ci est très rare. À voir si ce ne sera pas le cas aussi de cette future DRAM 32 Gb. En tout cas, grâce à celle-ci, il sera donc envisageable de concevoir à l’avenir des modules de mémoire vive avec deux fois plus de stockage et le même nombre de puces, ou des modules d’une même capacité, mais avec moins de puces.
Samsung avait déjà été un précurseur en 2021, lorsqu’il avait présenté sa barrette DDR5 de 512 Go, fabriquée à l’aide de 32 puces, chacune constituées de 8 dies 16 Gb, soit 16 Go par package. Cette même barrette pourra donc à l’avenir être fabriquée avec les nouvelles puces 32 Gb et seulement 16 d'entre elles. Mais il faut maintenant surtout s’attendre à voir arriver les premières barrettes de 1 To, la suite logique ! Entre-temps, le constructeur va déjà commencer à s'en servir pour ses modules 128 Go existants, pour la simple raison qu’ils sont actuellement beaucoup plus courants dans les serveurs que les exemplaires de 512 Go, qui restent a priori une rareté. Contrairement aux puces avec 16 Gb par die des modules DDR5 de 128 Go, les puces composées des dies 32 Gb se passent de la technologie Thourgh Silicon Via. Mais même s’ils sont toujours fabriqués à partir d’un procédé de génération 10 nm, Samsung annonce une réduction de 10 % de la consommation pour les futurs modules DDR5 de 128 Go par rapport aux anciens. On imagine que le nombre de die est toujours de 8, ce qui donnera un total de 32 Go par package.
Ces premières puces DRAM 32 Gb arriveront sur le marché sans doute en 2024, en sachant que leur production en volume doit en principe encore commencer avant la fin de cette année. Forcément, ne nous attendons pas à être concernés, 99,9 % d’entre nous ne sauraient que faire d’un module de 1 To, alors que 32 Go restent encore largement la norme et 64 Go un luxe utile avant tout pour des usages spécifiques. Au cas où vous l’auriez raté, il existe aussi depuis peu un entre-deux sous la forme de kits de 48 Go, mais cette offre est encore relativement limitée. Du reste, ça aura de l'utilité surtout dans les serveurs et sans doute notamment aussi pour le développement des futurs modules CXL - un standard de plus en plus adopté dans les datacenters, même par Intel, qui a désormais laissé tomber Optane pour de bon.
En tout cas, en supposant que Samsung arrive à commercialiser sa nouvelle solution courant 2024 comme planifié, le géant coréen aura alors une avance non négligeable sur la concurrence. Par exemple, Micron a récemment confirmé que ses propres solutions 32 Gb ne devraient arriver que durant la seconde moitié de 2024. Quant aux plans du compatriote SK Hynix, ils sont encore plutôt flous. (Source : Samsung, via Computerbase)
Les puces mémoires sont empilés ?
Par ce que faire une barrette de 512, ils en faut 256 sur une barrette, et vu la place sans les empiler je vois pas comment :D
Oui, bien sûr.
La DDR5 512 Go est fabriquée à partir de modules constitués chacun de 8 couches de DRAM 16 Gb (connectée via TSV), soit 2 Go par couche et donc 16 Go par module. Maintenant ce sera toujours la même chose, mais sans TSV et avec 4 Go par couche.
J'ai essayé de clarifier un peu tout ça.